联发科与美国普渡大学合作建立半导体芯片设计中心
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联发科目前（29）宣布将与美国普渡大学合作，在印第安纳州西拉斐叶建立半导体芯片设计中心，在芯片设计学位课程、下一代计算、通信芯片设计等方向开展先进的前瞻性技术研究合作。
据台湾媒体《经济日报》报道，联发科已与世界和美国顶尖大学合作，将先进研究发展了近20年，而此次与普渡大学的合作又是另一次突破。新的半导体设计中心将直接设置在校园内，该校学生将有机会看到自己的创新研究融入全球IC设计公司的产品设计和解决方案的环节。此次合作也将在印第安纳州吸引高次半导体设计人才。
联发科资深副总经理陆国宏博士表示，联发科致力于创新发展，长期与世界顶尖大学、研究机构及一流学者人才交流合作。通过此次合作，我们将接触顶级工程研究人才，培育未来半导体设计领域的新血，增强尖端科技产业的技术能量。半导体产业正在经历巨大的增长，我们需要最优秀的人才继续创新突破，这次合作是联发科扩大在美国运营发展的重要战略之一。
【来源：集微网